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省科学院半导体所应邀参加第十六届全国MOCVD学术会议

来源: 时间:2020-08-10

  以“先进光电技术·智能绿色制造”为主题,由中国有色金属学会、南京大学、厦门大学、中国科学技术大学、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)等联合主办的第十六届全国MOCVD学术会议于846日在安徽屯溪顺利召开,省科学院半导体所所长陈志涛教授等四人应邀参加。

  会上,陈志涛做了题为“Al(Ga)N材料的缺陷和应变调控研究”的邀请报告,着重先容了省科学院半导体所在氮化物材料外延生长及深紫外LED器件研究方面的取得的最新进展,报告反响热烈,得到与会专家学者的高度关注和认可,并引发与会专家学者深度探讨。

  半导体所青年科研人员贺龙飞博士发表的题为“基于PVD-AlN缓冲层的高质量AlGaN厚膜MOCVD外延生长”的会议论文,获得了本次学术会议最佳海报奖。本次会议共评出十个最佳海报奖,由中国科学院院士、南京大学郑有炓教授和中国科学院院士、南昌大学副校长江风益教授共同为获奖者颁发荣誉证书。

  全国MOCVD学术会议自1989年以来,已成功举办了十五届,是全国学术界和产业界广泛参与的学术盛会。该会议对于充分了解国内外MOCVD技术发展的现状与趋势,同时加强业内交流与合作、提升我国第三代半导体材料及器件研发和产业化推进水平,具有重要意义。本次会议共吸引了来自MOCVD技术领域国内外顶级专家、机构嘉宾、学者、企业家代表等500余人参加。



(供稿/院半导体所 贺龙飞)

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